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8月18日，記者從成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局獲悉，該局招引的產(chǎn)業(yè)化項目高投芯未高端功率半導體器件及模組研發(fā)生產(chǎn)項目（以下簡稱“芯未項目”）首臺設備已進場，將正式開啟第一期晶圓背面加工產(chǎn)線和封裝產(chǎn)線設備搬入工作。

“芯未項目”是成都高新區(qū)圍繞功率半導體，尤其是IGBT領域打造的強鏈補鏈項目。作為“標準地+拿地即開工”項目，芯未項目于2022年8月8日開工建設，在各方努力下，于2023年1月封頂，僅用時5個月。

項目總投資10億元，占地30畝，將分兩期進行建設，一期將建設一條8英寸超薄IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）特色背面晶圓線，一條高端功率半導體集成封裝生產(chǎn)線，形成年產(chǎn)120萬只功率半導體模塊制造能力，10萬套集成組件生產(chǎn)能力，二期擴產(chǎn)建設預計將于2025年啟動。

記者了解到，IGBT是一種新型功率半導體器件，與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)（CPU）一樣， IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”， 能控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平，廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、消費電子等領域。

據(jù)悉，芯未半導體將進一步豐富完善 基于自主創(chuàng)新技術(shù)的生產(chǎn)工藝平臺，整體技術(shù)水平進入行業(yè)前列。 同時，發(fā)揮設計、晶圓工藝和集成封裝產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新模式，結(jié)合芯片設計需求，強化產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)作，推動超薄IGBT特色背面晶圓工藝和高端集成封裝技術(shù)的量產(chǎn)應用與產(chǎn)業(yè)化推廣。此外，還將進一步促進IGBT產(chǎn)品全產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)，通過技術(shù)創(chuàng)新建立可持續(xù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式，并為國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級提供整套先進解決方案，推動特色功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈和價值鏈的發(fā)展，助力成都電子信息產(chǎn)業(yè)建圈強鏈。

“在國家出臺系列政策支持半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，以IGBT為代表的功率半導體行業(yè)市場迎來了廣闊的發(fā)展前景。成都是芯片設計、研發(fā)和人才高地，但在功率半導體生產(chǎn)制造和工藝平臺支撐方面尚處于短板狀態(tài)。芯未項目建成投用后將起到強鏈補鏈的作用。”成都高投芯未半導體有限公司相關負責人介紹，項目建成投產(chǎn)后 預計有望實現(xiàn)年營收9億元 ，可提供從IGBT芯片背面加工-模塊封測代工-集成組件的一條龍代工服務，填補成都在功率半導體生產(chǎn)和工藝平臺支撐方面的空白，為包括功率半導體設計企業(yè)、制造企業(yè)、終端應用企業(yè)等提供IGBT特色代工服務，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新和優(yōu)勢互補，助力成都高新區(qū)打造功率半導體價值高地，加快構(gòu)建競爭優(yōu)勢突出的現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系。

成都日報錦觀新聞 記者 吳怡霏 責任編輯 何齊鐵 實習編輯 王淇 供圖 受訪單位

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