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日本開(kāi)發(fā)出加熱平整半導(dǎo)體基板表面的方法
2023-08-14 10:38:49來(lái)源: 界面新聞


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日經(jīng)新聞8月14日消息,日本早稻田大學(xué)乘松航教授等人的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出了加熱平整半導(dǎo)體基板表面的方法。比傳統(tǒng)研磨方法更便捷,性能也更高,因此有利于改進(jìn)半導(dǎo)體的制造工序。團(tuán)隊(duì)利用純電動(dòng)汽車(EV)等的電力控制所需要的功率半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)進(jìn)行了確認(rèn)。碳化硅基板是把晶塊切成薄片來(lái)制造,截面上容易形成凹凸,不能直接使用。過(guò)去是結(jié)合多種方法進(jìn)行研磨,但存在著內(nèi)部容易出現(xiàn)損傷、表面形成落差的問(wèn)題。

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