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日本開發(fā)出加熱平整半導體基板表面的方法
2023-08-14 10:38:49來源： 界面新聞


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日經新聞8月14日消息，日本早稻田大學乘松航教授等人的研究團隊開發(fā)出了加熱平整半導體基板表面的方法。比傳統(tǒng)研磨方法更便捷，性能也更高，因此有利于改進半導體的制造工序。團隊利用純電動汽車（EV）等的電力控制所需要的功率半導體材料碳化硅（SiC）進行了確認。碳化硅基板是把晶塊切成薄片來制造，截面上容易形成凹凸，不能直接使用。過去是結合多種方法進行研磨，但存在著內部容易出現(xiàn)損傷、表面形成落差的問題。

（文章來源：界面新聞）

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