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導(dǎo)電型產(chǎn)品銷售大幅增長(zhǎng)天岳先進(jìn)上半年?duì)I收同比增長(zhǎng)172.38%!
2023-08-31 08:57:02來源: 面包芯語

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開,詳見后文


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8月28日,天岳先進(jìn)披露半年度業(yè)績(jī)報(bào)告。2023年上半年,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.38億元,同比增長(zhǎng)172.38%;扣非凈利潤(rùn)-1.1億元,虧損幅度進(jìn)一步擴(kuò)大。

天岳先進(jìn)表示,2022 年公司調(diào)整產(chǎn)能布局,導(dǎo)電型襯底產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升,2023年上半年公司營(yíng)業(yè)收入主要來自于導(dǎo)電型產(chǎn)品銷售。截至目前,公司濟(jì)南工廠已轉(zhuǎn)型為導(dǎo)電型產(chǎn)品為主,產(chǎn)量及營(yíng)業(yè)收入較同期大幅增長(zhǎng),同時(shí),產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整過程中影響單位成本的不利因素逐步消除,并帶動(dòng)綜合毛利率由去年同期-10%增加到11.3%。由于公司新建產(chǎn)能上海臨港工廠尚處于產(chǎn)能產(chǎn)量爬坡階段,單位產(chǎn)品成本較高,毛利率仍低于正常經(jīng)營(yíng)水平,對(duì)公司綜合毛利率產(chǎn)生不利影響。

新建產(chǎn)能前期費(fèi)用支出及所儲(chǔ)備的人員數(shù)量較大導(dǎo)致管理費(fèi)用上漲;公司加強(qiáng)研發(fā)投入,包括 8 英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化研發(fā),液相法等前瞻技術(shù)研發(fā),大尺寸半絕緣產(chǎn)品研發(fā),以及高品質(zhì)導(dǎo)電型產(chǎn)品的持續(xù)研發(fā)投入等研發(fā)支出較大;上述費(fèi)用的增加減少了報(bào)告期凈利潤(rùn)和歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)。

天岳先進(jìn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 6 英寸導(dǎo)電型襯底、6 英寸半絕緣型襯底、4 英寸半絕緣襯底等產(chǎn)品的規(guī)模化供應(yīng)。公司高品質(zhì) 6 英寸產(chǎn)品已經(jīng)獲得行業(yè)下游客戶的廣泛認(rèn)可。報(bào)告期內(nèi)公司營(yíng)業(yè)收入主要來自于 6 英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品銷售。

上半年,天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂了合作協(xié)議,公司將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的 6 英寸碳化硅襯底和晶棒,第一階段將側(cè)重于 6 英寸碳化硅材料,但公司也將助力英飛凌向 8 英寸碳化硅晶圓過渡。該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。公司去年與某客戶簽訂的 13.93 億元的框架協(xié)議正在按照協(xié)議約定履行產(chǎn)品交付。

天岳先進(jìn)稱,公司與國(guó)內(nèi)外知名客戶開展合作。上半年公司高品質(zhì)碳化硅襯底獲得國(guó)際客戶的認(rèn)可,產(chǎn)品加速“出?!?。公司已經(jīng)與英飛凌、博世等行業(yè)下游電力電子、汽車電子領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)開展了廣泛合作,有助于共同推動(dòng)碳化硅材料和器件的滲透應(yīng)用。

在 8 英寸產(chǎn)品布局上,天岳先進(jìn)具備量產(chǎn) 8 英寸產(chǎn)品能力,上半年已開展客戶送樣驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)了小批量銷售,預(yù)期產(chǎn)銷規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。

另外,天岳先進(jìn)積極優(yōu)化產(chǎn)能布局。目前已形成山東濟(jì)南、上海臨港、山東濟(jì)寧碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。自去年以來,公司加大了導(dǎo)電型產(chǎn)品的產(chǎn)能產(chǎn)量,2023 年 5 月新建的上海臨港智慧工廠開啟了產(chǎn)品交付,目前正處于產(chǎn)量的持續(xù)爬坡階段。根據(jù)目前公司在手訂單及合作客戶需求情況預(yù)計(jì),臨港工廠第一階段年 30 萬片導(dǎo)電型襯底的產(chǎn)能產(chǎn)量將提前實(shí)現(xiàn),上海臨港工廠將成為公司導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。

此外,公司正規(guī)劃繼續(xù)通過技術(shù)提升和增加資本投入以進(jìn)一步提高臨港工廠產(chǎn)能產(chǎn)量。公司在日本設(shè)立研發(fā)及銷售中心,積極開拓海外市場(chǎng)。目前海外市場(chǎng)對(duì)公司產(chǎn)品的需求旺盛。

來源:集微網(wǎng)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料,在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn);碳中和與新能源體系變革的背景下,在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),到2026年,碳化硅產(chǎn)品市場(chǎng)將達(dá)35億美元,氮化鎵功率產(chǎn)品市場(chǎng)需求增長(zhǎng)到21億美元。近年來,國(guó)內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項(xiàng)目,全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目約26個(gè),國(guó)外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場(chǎng),受益于特斯拉的應(yīng)用需求,意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場(chǎng);Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集,是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè),8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn),其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進(jìn)最為迅速,國(guó)內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點(diǎn)關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景,最新襯底、外延、器件技術(shù)與項(xiàng)目投資,碳化硅、氮化鎵長(zhǎng)晶技術(shù),凈化工程與EPC,新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)與項(xiàng)目。

會(huì)議主題包括但不限于

國(guó)際形勢(shì)對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇

6寸與8寸SiC項(xiàng)目投資與市場(chǎng)需求

SiC長(zhǎng)晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項(xiàng)目實(shí)踐

8英寸SiC國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程和技術(shù)突破

SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進(jìn)展

大尺寸GaN長(zhǎng)晶難點(diǎn)及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進(jìn)展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用

功率器件封裝技術(shù)與材料

新興化合物半導(dǎo)體進(jìn)展:氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅

工業(yè)參觀與考察(重點(diǎn)企業(yè)或園區(qū))

最新日程如下

會(huì)議日程

寬禁帶器件應(yīng)用中的機(jī)遇與挑戰(zhàn)(題目暫定)

——廈門三安光電有限公司(已定)

中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局情況(題目暫定)

——中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟(已定)

SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)淺析及應(yīng)用展望(題目暫定)

——山西爍科晶體有限公司(已定)

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件機(jī)遇和挑戰(zhàn)(題目暫定)

——安徽芯塔電子科技有限公司(已定)

國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET發(fā)展要點(diǎn)淺析

——泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(已定)

用于汽車半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET解決方案(題目暫定)

——深圳基本半導(dǎo)體有限公司(已定)

大尺寸碳化硅單晶工藝控制

——山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(待定)

碳化硅晶體的生長(zhǎng)技術(shù),PVT法及液相法

——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(待定)

大尺寸碳化硅晶圓制造技術(shù)難點(diǎn)

——上海積塔半導(dǎo)體有限公司(待定)

Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

——南方科技大學(xué)(待定)

氮化鎵同質(zhì)外延功率/射頻器件應(yīng)用與相關(guān)單晶襯底制備技術(shù)的研發(fā)進(jìn)展

——東莞中鎵半導(dǎo)體科技有限公司(待定)

中國(guó)第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈現(xiàn)狀

——廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司(待定)

GaN在車用功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

——蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司(待定)

*以上演講報(bào)告列表將隨著會(huì)議邀請(qǐng)工作進(jìn)展不斷更新,最終版以會(huì)場(chǎng)發(fā)布為準(zhǔn)。

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中國(guó)大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目表(月度更新)

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中國(guó)大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目表(月度更新)

中國(guó)大陸12英寸晶圓廠項(xiàng)目表(月度更新)

中國(guó)大陸半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目表(月度更新)

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中國(guó)大陸半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品項(xiàng)目表(月度更新)

中國(guó)大陸晶圓廠當(dāng)月設(shè)備中標(biāo)數(shù)據(jù)表(月度更新)

中國(guó)大陸上月半導(dǎo)體前道設(shè)備進(jìn)口數(shù)據(jù)表(月度更新)

中國(guó)大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目地圖(月度更新)

中國(guó)大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目地圖(月度更新)

中國(guó)大陸12英寸晶圓廠項(xiàng)目地圖(月度更新)

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