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我國科學家開發(fā)出介電基底修飾新技術
2019-03-18 09:04:18來源： 新華網

新華社上海3月16日電(記者吳振東)半導體芯片運算速度越來越快，但隨之而來的芯片發(fā)熱問題困擾著業(yè)界和學界。復旦大學科研團隊新近開發(fā)出一種介電基底修飾新技術，有望解決芯片散熱問題。相關研究成果在線發(fā)表于權威科學期刊《自然·通訊》。

研究表明，在一個芯片中，半導體材料和絕緣體材料之間，以六方氮化硼為材質的界面材料，將對其電子遷移率和散熱產生至關重要的影響。傳統(tǒng)方式是，研究人員先將其在別的“盆”里種出來，然后移栽到芯片材料上。

復旦大學聚合物分子工程國家重點實驗室研究員魏大程帶領團隊，開發(fā)了一種共形六方氮化硼修飾技術，在最低溫度300攝氏度的條件下，無需催化劑直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、藍寶石、單晶硅基底表面“生長”高質量六方氮化硼薄膜。這一帶來“無縫”效果的共形修飾技術，能讓芯片材料性能顯著提升。

專家表示，這一技術具有高普適性，不僅可以應用于基于二硒化鎢材料的晶體管器件，還可以推廣到其他材料和更多器件應用中，共形六方氮化硼也具有規(guī)?；a和應用的巨大潛力。(完)

關鍵詞： 介電基底修飾新技術

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