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SK海力士開發(fā)出新HBM3E內存：用于AI行業(yè)
2023-08-22 06:37:43來源： DoNews


(資料圖片)

DoNews8月21日消息，SK 海力士 21日宣布，成功開發(fā)出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產品 HBM3E，并開始向客戶提供樣品進行性能驗證。

HBM（High Bandwidth Memory）是指垂直連接多個 DRAM，可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM 產品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。HBM3E 是 HBM3 的擴展（Extended）版本。

SK 海力士表示，新品最高每秒可以處理 1.15TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)。其相當于在 1 秒內可處理 230 部全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5 千兆字節(jié)，5GB）。將從 2024 年上半年開始投入 HBM3E 量產。

SK 海力士技術團隊在該產品上采用了 Advanced MR-MUF 最新技術，其散熱性能與上一代相比提高 10%。HBM3E 還具備了向后兼容性（Backward compatibility），因此客戶在基于 HBM3 組成的系統(tǒng)中，無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。

據(jù)悉，新產品將用于英偉達的新一代 AI 計算產品。

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